光刻胶的pag和pac是什么

光活性组分(PAC)本发明的组合物含有至少一种光活性组分(PAC)，该组分通常是在曝露在光化辐射中时产生酸或碱的化合物。

如果在曝露在光化辐射中时产生酸的话，PAC被称为光致产酸剂(photoacid generator)(PAG)。

如果在曝露在光化辐射中时产生碱的话，PAC被称为光致产碱剂(photobase generator)(PBG)。

光刻胶胶概念

光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。

在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。

光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

中文名：光刻胶

外文名：photoresist

适用领域：

集成电路、平板显示器和半导体分离器件的制造等

所属学科：

化学>高分子化学>高分子加工技术和应用、信息科学技术、电子学>电子元器件工艺与分析技术

别名：

光致抗蚀剂

光刻胶中的el是什么

EL意思是有机发光的电子版。 只不过，有机EL的材质是复合材料，即多种材料薄膜有机EL的结构及发光原理化叠加在一起。 由于有机EL薄，轻的重要特点，决定了它的材料必须要通过薄膜处理附着在基板上。

电子胶和光刻胶区别

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的，以后才用于电子工业。 光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。

    是一个广泛的称呼,

　　用于电子元器件的粘接,密封,灌封和涂覆保护

　　室温硫化硅橡胶或有机硅凝胶用于电子电气元件的灌封，可以起到防潮、防尘、防腐蚀、防震的作用，并提高使用性能和稳定参数，而且其在硫化前是液体，便于灌注，使用方便。应用有机硅凝胶进行灌封时，不放出低分子，无应力收缩，可深层硫化，无任何腐蚀，硫化后成透明弹性体，对胶层里所封装的元器件清晰可见，可以用针刺到里面逐个测量元件参数，便于检测与返修。室温硫化的泡沫硅橡胶用于电子计算机内存储器磁芯板，经震动、冲击、冷热交变等多项测试完全符合要求。加成型室温硫化硅橡胶的基础上制得的耐燃灌封胶，用于电视机高压帽及高压电缆包皮等制品的模制非常有效。对于不需要进行密闭封装或不便进行浸渍和灌封保护时，可采用单组分室温硫化硅橡胶作为表面涂覆保护材料。一般电子元器件的表面保护涂覆均用室温硫化硅橡胶，用加成型有机硅凝胶进行内涂覆。近年来，玻璃树脂涂覆电子电器及仪表元件的应用较为广泛。

电子胶和光刻胶的区别如下：

1. 基础成分不同：电子胶主要是硅酮、丙烯酸树脂等，光刻胶主要包含感光剂、增感剂、溶剂、溶媒等。

2. 作用原理不同：电子胶通过物理性粘合，而光刻胶是通过紫外线、电子束等进行曝光，使部分光刻胶化学性质发生变化，然后显影，完成图形转移。

3. 应用领域不同：电子胶广泛应用于玻璃、陶瓷、电子元器件等领域的粘接，而光刻胶主要用于半导体制造。

电子胶和光刻胶是两种不同的材料，它们的主要区别在于他们的成分和用途。

电子胶是一种胶粘剂，主要用于电子电器元器件的粘接、密封、灌封、涂覆、结构粘接、共行覆膜和SMT贴片。它可以是环氧树脂胶、硅胶、聚氨酯胶等。

光刻胶是一种对光敏感的有机化合物，在光线照射下其溶解度会发生变化，从而用于制作掩模版或者电路板。它通常由感光树脂、增感剂和溶剂组成。

总的来说，电子胶和光刻胶在成分和用途上有着明显的区别。电子胶用于电子设备的制造和维修，而光刻胶则用于制作微电子器件和电路板。

电子胶和光刻胶均属于胶黏剂，但它们在应用领域、性能要求和成分上有所区别。电子胶主要用于电子元器件的粘接、密封和灌封，具有良好的粘附性、耐高温性和耐老化性。

光刻胶主要用于半导体光刻工艺，具有感光性、耐酸性和曝光后良好的耐蚀性。简而言之，电子胶主要用于电子产品的组装和保护，而光刻胶用于半导体制程中的光刻工艺。

电子胶（Electronic Adhesive）和光刻胶（Photoresist）是两种在电子器件制造过程中常用的材料，它们的主要区别如下：

1. 用途：电子胶主要用于电子器件的封装和封装后的保护，以提供机械支撑和电气隔离。光刻胶主要用于半导体工艺中的光刻步骤，用于制作微细图案和芯片的基础结构。

2. 物性：电子胶通常为导电性或绝缘性，具有良好的机械强度和耐热性，可以在高温下保持稳定。光刻胶通常为光敏性材料，可被紫外线照射后发生化学反应，并具备显影能力，从而在光刻过程中形成所需的图案。

3. 工艺：电子胶通常通过涂覆、固化和剥离等步骤进行处理，以实现材料的粘附和封装效果。光刻胶则需要光刻步骤，包括涂敷光刻胶、曝光、显影和后处理等，以形成所需的图案和结构。

4. 分子结构：电子胶的分子结构相对较为复杂，通常包含多种化学成分，以满足不同的要求。光刻胶的分子结构相对简单，更加专注于提供适当的光敏性和显影性能。

总的来说，电子胶是一种用于封装和保护电子器件的材料，而光刻胶是一种用于制作微细图案的材料。它们在应用、物性、工艺和分子结构等方面存在着明显的区别。

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